La industria fotovoltaica, como sector impulsado por la tecnología, ha pasado por varias rondas de iteraciones tecnológicas cuyos objetivos siempre han estado relacionados con la mejora de la eficiencia y la optimización de la cadena de producción en busca de una mayor sostenibilidad y reducción de costos.
Técnicamente, a medida que la eficiencia de las células de tipo-p se acercaba a su máximo, las células solares de tipo-n se convirtieron en la nueva tendencia del momento, dado su potencial para alcanzar mayores eficiencias, acercándose incluso a los límites teóricos de eficiencia de las células de silicio de unión simple.
La tecnología de heterounión (HJT), como una de las principales vías hacia las células solares de tipo-n, ha llamado la atención por sus ventajas y su potencial para mejorar otras características, que van más allá de la mera eficiencia.
Risen Energy, líder mundial en soluciones integrales de energía fotovoltaica inteligente, anticipó este cambio y comenzó la investigación y el desarrollo de la tecnología HJT en 2019.
A lo largo de los años, la empresa ha invertido importantes recursos en la investigación y producción en masa de módulos HJT, habiendo conseguido dos años consecutivos de liderazgo global en envíos de HJT.
Como resultado de una gran inversión en el desarrollo y mejora de la tecnología, los módulos HJT Risen batieron, por cuatro veces consecutivas, récords mundiales de eficiencia de módulos HJT, como el módulo HJT Risen de la línea Hyper-Ion, que tenía una potencia de 741W y una eficiencia del 23,89% certificada por TUV en 2023.
Los módulos HJT Risen concentran una alta densidad de potencia, los coeficientes de temperatura Pmax más bajos y una degradación lineal anual, además de mucha tecnología de punta a bordo.
A lo largo de los años de desarrollo, Risen Energy también ha investigado en profundidad diversos factores importantes para lograr una alta fiabilidad y una reducción de costes para la producción en masa a gran escala de la tecnología HJT, haciéndola viable y competitiva.
A finales de 2022, Risen desarrolló e inició la producción a gran escala de obleas y células de silicio ultrafinas con tecnologia cero barras colectoras en la célula, conocida como 0BB, el uso de pasta de metalización de bajo contenido en plata y tecnología de interconexión de células a baja temperatura, denominada Hyperlink, lo que garantiza la alta fiabilidad de las células HJT de Risen.
Estas tecnologías se integran en los módulos HJT Risen a través de la gama Hyper-ion de ultra alta potencia 700 Wp+.
Dado que todas las mejoras tecnológicas son el resultado de una gran inversión en I+D y de años de experiencia con la tecnología de células HJT, con el fin de apoyar la continua reducción de costes y la producción en masa de productos HJT en toda la industria, lo que contribuirá aún más a la optimización de la cadena, Risen Energy ha recopilado las experiencias y conocimientos acumulados en un libro blanco.
Tras la publicación del primero en agosto de 2023, esta vez Risen Energy comparte su experiencia con el desarrollo y la aplicación industrial de obleas de silicio ultrafinas.
Como es bien sabido, las obleas de silicio, las pastas de metalización y los costes de los equipos representan más del 90% del coste total de las células HJT.
Las obleas de silicio por sí solas representan el 55%.
Por lo tanto, es evidente que reducir los costes de las obleas de silicio es uno de los principales medios para impulsar la producción en masa de HJT.
Risen ha logrado importantes avances en el desarrollo técnico y la aplicación industrial de obleas de silicio ultrafinas tras años de investigación e inversión, lo que ha permitido reducir costes y potenciar la competitividad que hoy tiene esta tecnología.
Actualmente, Risen Energy ha dominado la producción en masa de células utilizando obleas de silicio ultrafinas de 110 μm y 100 μm, con la capacidad de producir obleas con espesores inferiores a 100 μm. https://es.risenenergy.com/uploads/20240123/(last)SPANISH-Risen%E2%80%99s%20HJT%20Hyper-ion_A%20White%20Paper%20on%20Development%20and%20Industrial%20Application%20of%20Ultra-Thin%20Silicon%20Wafers_V2.3_20240115_jhw.pdf